CMOS：指互补金属氧化物半导体，微机主板上一块可读写的RAM芯，CMOS RAM是一块存储器，只有数据保存功能； 作用：保存系统硬件配置和用户对某些参数设定，参数设定要通过专门的程序； CMOS：主板电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失； CMOS应用：集成电路芯片制造，CMOS模拟开关 是可控开关，只应用于：幅度不超作电压，小电流模拟或数字信号，不可用在大电流，高电压情况下； 如：四路视频信号切换器+数控电阻网络+音量调节电路+单按钮音量控制器； 模拟开关：通过数字量控制传输门接通或断开，以传输数字信号或模拟信号的开关；

混频器设计注意事项 1.混频器工作稳定性：考虑本机振荡器频率不稳定引起混频器输出不稳等； 2.混频器输入端和输出端连接条件：选定电路和设计回路时，应考虑匹配问题； 3.场效应管混频性能比三极管混频好：场效应管工作频率高，特性近似平方率，动态范围大，非线性失真小，噪声系数低，单向传播性能好。 4.混频放大系数越大越好：增大混频放大系数即提高接收机灵敏度。 混频放大系数：指混频器中频输出电压振幅与变频输入信号电压振幅比，也叫混频电压增益。 5.混频器噪声系数越小越好：混频器设计，要按设备总噪声系数分配要求，合理选择线路和电子元器件及工作点电流。 6.减少混频器频率失真及非线性失真，本振频率产生各种混频现象； 7.混频器工作在非线性特性不过于严重的区域，即能完成频率变换，减少产生各种形式干扰； 8.混频器中频输出电路具有良好选择性，可抑制不需干扰频率。

1.VMOS场效应管功率模块，应用于：交流电机调速器+逆变器 如：IRFT001型模块，内部有N沟道，P沟道管各三个构成三相桥式结构； 2.N沟道 VNF系列产品，Supertex 超高频功率场效应管 如：应用在：高速开关电路+广播+通信设备 最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A  PDM=30W  共源小信号低频跨导gm=2000μS 3.VMOS场效应管加散热器后才能使用； 如：VNF306，加装140mm×140mm×4mm 散热器，即最大功率可达30W 4.VMOS场效应管=N沟道+P沟道 大部份是N沟道，因P沟道测量时应交换表笔位置；

1.动态响应好 2.滤波电感平均电流=输出电流/2，输出滤波电感损耗小； 3.大电流同步整流原理连接线少，倍流整流拓扑中，副边大电流连接线有2路，但中间抽头拓扑有3路； 4.变压器副边一个绕组，副边绕组数=中间抽头结构/2，副边损耗功率较小； 5.输出有两个滤波电感上的电流相加，得到输出负载电流，电感上电流纹波有相互抵消作用，输出电流纹波小； 半桥他激缺点 有两个输出滤波电感，体积大。 改善方法：集成磁方法 将两个输出滤波电感+变压器都集成在一个磁芯内，即体积变小；

在电源设计中，MOS管是最常使用的电子元器件，一般情况是作为开关使用，不可避免在过电流时就会遇到发热的情况，一般情况是过大电流时发热，并做好散热工作即可，但在过小电流MOS管发热比较少见，那么什么原因及解决方案是什么呢？ 小电流mos管发热原因 1.散热设计的问题：电流过高，不得超过MOS管标称电流值用散热要做好； 2.必须ID< 最大电流，或发热严重，则要有辅助散热片； 3.MOS管选型错误，功率判断错误，MOS管内阻没考虑，因此开关阻抗增大； 4.频率太高，因追求体积，频率提高，MOS管损耗增加，发热增加。 5.电路设计：MOS管工作在线性状态，不是开关状态，因此MOS管发热； 6.若NMOS管，栅极G电压 > 电源电压，完全导通，PMOS管相反； 7.未完全导通且压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗大，压降增大，UI也增大，损耗增加因此发热；

电路从一个位置接通和从另一个位置关掉负载，任何数量瞬间N / O开关或按钮可并行连接。 左侧组合：10K，10uF，二极管，确保电路接通电源，保持负载断开状态。 初始加电状态没有问题，此组件可省略； 按下开关：1uF电容连接到220欧姆和33K电阻连接点，NPN晶体管截止，场效应管导通并开启负载。 释放按钮：1uF电容通过1M电阻充电； 第二次按下开关：1uF电容充电后，电压加载到NPN晶体管基极，晶体管导通，场效应管关闭，负载断电；

隧穿场效应晶体管 英文全称：Tunneling Field-Effect Transistor 简称TFET 原理：带间隧穿Band-to-band tunneling  简称BTBT BTBT是在1934年Zener提出，pn结在反偏状态下，n区导带中未被电子占用空能态与p区价带中被电子占用能态有相同能量，势垒区窄时，电子从p区价带隧穿到n区导带； 如下图所示： 双栅结构Si 隧穿场效应晶体管 是一个p+-i-n+结构 Tox=栅介质厚度 Tsi=体硅厚度 i区上方：栅介质和栅电极 通过栅极电压变化调制i区能带控制电子元器件电流；

MOS场效应管驱动电路,V1=V2=5V  Q1、Q4导通，Q2截止； VCC → D2 → Q4→ D1→ R4→ Q3栅极，导通； Q6、Q7截止，Q8导通，提供Q5栅极放电回路，Q5截止； V1=V2=0V Q1、Q4截止，Q2导通，提供Q3栅极放电回路放电； 电流→ Q2 → Q5→ 接地； Q6、Q7导通，Q8截止； VCC→ Q7→ 电阻R1→ Q5栅极，导通； 实际：V1与V2保持同相可避免上下管同时导通；

智能SIPMOS技术中的N沟道垂直功率FET 完全由嵌入式保护功能保护。 功能概述 1.逻辑电平输入 2.保护（ESD） 3.自动重启热关机 4.绿色产品（符合RoHS） 5.过载保护 6.短路保护 7.过压保护 8.电流限制 9.可进行模拟驱动 潜在应用 双通道汽车保护继电器驱动器

N沟道增强型MOSFET特性曲线 分：输出特性+转移特性 输出特性：可变电阻区+放大区(饱和区)+击穿区+截止区 转移特性 UDS=常数 从输出特性曲线上用作图法求出 UGs=0 无导电沟道 UGs≥UGs(th) 出现导电沟道 UGs>UGs(th)  UDs小  iD迅速增大 UGs>UGs(th)   UDs大 iD 趋于饱和 增强型MOSFET转移特性 以UDS为参变量，漏极电流iD 随栅源电压UGs变化的关系曲线 漏极电流iD 近似表达式为 当UGs>UGs(th)  IDO 是UGs=2UGs(th) 漏极电流 iD